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EBIC (Electron Beam Induced Current) 原理

更新時(shí)間:2024-12-25點(diǎn)擊次數(shù):212

EBIC (Electron Beam Induced Current),電子束誘導(dǎo)的電流。

 

EBIC原理

EBIC圖像是通過測(cè)量穿過半導(dǎo)體氧化物Oxide和金屬Metal層進(jìn)入pn結(jié)的電子流而產(chǎn)生的。電子束(Electron Beam)與半導(dǎo)體PN結(jié)區(qū)的作用產(chǎn)生的電子空穴對(duì)electron hole pairs擴(kuò)散電壓diffusion voltage的作用下分離EBIC電流信號(hào)通過鎢探針連接到EBIC放大器上,并將EBIC電流信號(hào)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)。當(dāng)用電子束掃描樣品時(shí),即可通過SEM獲得樣品的電流像。

image.png

(1) 電子束在半導(dǎo)體材料中產(chǎn)生電子-空穴對(duì)

(2) 電子和空穴在耗盡區(qū)的內(nèi)部電場(chǎng)中分離產(chǎn)生 EBIC 電流

(3) EBIC電流信號(hào)作為 SEM 成像系統(tǒng)的輸入信號(hào)

(4) 可對(duì)耗盡區(qū)(Depletion zone)和電氣缺陷表征 


EBIC圖像解讀

EBIC圖像中,“明/暗"區(qū)域代表PN結(jié)中n阱和P阱?;疑珔^(qū)域表示沒有記錄到電流的區(qū)域。通過與二次電子像的疊加,可以SEM相中看到PN結(jié)(耗盡區(qū),Depletion zone)的位置。

image.png



EBIC結(jié)果

EBIC結(jié)果可以用于定位并觀察PN結(jié)和非破壞性電氣缺陷表征。

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圖示例:EBIC in 10 nm Exynos


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